【中信证券：美国对华先进存储限制再加码，倒逼高端存储产业链国产加速】中信证券研报表示，1月15日晚间，BIS修订了《出口管理条例》（EAR），修改DRAM先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制，对HBM和先进DRAM的限制再加码，倒逼产业链国产化加速。本次限制针对制造厂商及供应链，设计厂商业务正常开展，我们看好高端定制存储业务，持续推荐。同时我们认为，后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM原厂有望突破HBM，布局相关环节的厂商有望核心受益，看好高端存储产业链国产替代。